- ARUAL

Поиск
Перейти к контенту

Главное меню:


ANNEALSYS (Франция) - производитель высококачественных систем для быстрых термических процессов (Rapid Thermal Processing - RTP), быстрого термического отжига (Rapid Thermal Annealing - RTA), быстрого термического окисления (Rapid Thermal Oxidation - RTO), химического осаждения из паровой фазы (Chemical Vapor Deposition - CVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition - MOCVD, SprayCVD, LPCVD).
Область применения систем: кремний (Si), полупроводниковые соединения, микромеханика (MEMS), солнечные элементы, стекло, оптика и т.д.
Использование ультрасовременной системы прямого впрыска жидкости (Direct Liquid Injection - DLI) позволяет разрабатывать и получать новые материалы с использованием новых химических исходных веществ (прекурсоров)
на установках проведения CVD процессов.


Установка быстрых термических процессов
AS-Micro
Лабораторная установка для обработки пластин диаметром до 3 дюймов.
Двухкамерная версия для перекрестного загрязнения (cross contamination).

Применение:

Быстрый термический отжиг (RTA),
Послеимплантационный отжиг
Отжиг полупроводниковых компаундов
Кристаллизация и уплотнение
Нитритизация, силицидирование
и др.
Максимальная температура нагрева до 1250°C





Установка быстрых термических процессов
AS-One
Установка для проведения быстрых термических процессов с холодными стенками для пластин диаметром до 4 и 6 дюймов

Применение
:

Быстрые термические процессы (RTA, RTO)
Диффузия, контактный отжиг
Отжиг полупроводниковых компаундов
Нитритизация, силицидирование
Селенизация, сульфуризация
Осаждение графена, углеродные трубки
Кристаллизация и уплотнение
и др.
Максимальная температура нагрева до 1500°C




Установка быстрых термических процессов
AS-Master
Универсальная система для проведения быстрых термических процессов (RTP) на пластинах диаметром до 8 дюймов.
Опциональное проведение RTCVD процессов.   

Применение:

Быстрые термические процессы (RTA, RTO)
SiC контактный отжиг, карбонизация
Отжиг полупроводниковых компаундов
Контроль качества имплантации
PECVD (poly silicon, SiO2, SiNx,…)
и др.
Максимальная температура нагрева до 1500°C




Установка быстрых термических процессов с квадратной камерой
AS-Primium
Универсальная система для проведения быстрых термических процессов (RTP) на пластинах размером 156 х 156 мм

Применение:

Быстрые термические процессы (RTA, RTO)
Диффузия
Отжиг полупроводников
Нитритизация, силицидирование
Селенизация, сульфурация
Кристализация и уплотнение
Максимальная температура нагрева до 1300°C




Высоко-температурная RTP-CVD печь до 2000 °C
ZENITH 100
Универсальная система для проведения высоко температурных процессов на пластинах диаметром до 4 дюймов.

Применение:

Имплатационный отжиг SiC
Получение графена методом высокотемпературной сублимации SiC
Осаждение графена
Максимальная температура нагрева до 2000°C




 
Copyright 2016. All rights reserved.
Назад к содержимому | Назад к главному меню